Półprzewodniki domieszkowane dzieli się na typu N i typu P w zależności od tego, jakie nośniki ładunku stają się większościowe.
Typ N powstaje przy domieszkowaniu donorowym. Domieszka donorowa "dostarcza" dodatkowych elektronów, przez co w materiale pojawia się wyraźna przewaga elektronów jako nośników większościowych. Zgodnie z informacją w tabeli przykładem takiej domieszki jest fosfor (P), a większością nośników są elektrony. Dlatego poprawne jest stwierdzenie: "Półprzewodniki typu N mają większość nośników ładunku w postaci elektronów".
Typ P wiąże się z domieszkowaniem akceptorowym. Domieszka akceptorowa sprzyja powstawaniu braków elektronów w wiązaniach, które opisuje się jako dziury. W efekcie to dziury stają się nośnikami większościowymi. W tabeli jako przykład podano bor (B) i większość nośników w postaci dziur.
Dlaczego pozostałe odpowiedzi są nieprawidłowe?
- Zdanie, że w typie P większością są elektrony, odwraca podstawową definicję typu P (tu przewagę mają dziury).
- Twierdzenie o dodawaniu fosforu do typu P miesza rolę domieszek: fosfor opisano jako domieszkę dla typu N, nie dla typu P.
- Twierdzenie o borze w typie N również odwraca zależność: bor w tabeli przypisano do typu P, a nie do N.
W zadaniach egzaminacyjnych warto zapamiętać prostą regułę: N → Negative carriers → elektrony, a P → Positive carriers → dziury (jako nośniki większościowe).
